近场噪声抑制片材

1.一种近场噪声抑制片材，其特征在于，
将在一方的面上形成有Ni蒸镀薄膜的一对塑料膜借助导电性粘合剂以所述Ni蒸镀薄膜为内侧进行粘合，各Ni蒸镀薄膜具有10～30nm的范围内的膜厚，并且具有较厚的区域和较薄的区域，所述导电性粘合剂的涂敷量以固体含量标准计算为0.5～5g/m2，并且调整各Ni蒸镀薄膜的膜厚以使粘合后的一对Ni蒸镀薄膜的表面电阻为20～150Ω/单位面积，从而降低表面电阻的离散。
2.根据权利要求1所述的近场噪声抑制片材，其特征在于，
粘合后的一对Ni蒸镀薄膜的表面电阻为30～80Ω/单位面积。

近场噪声抑制片材\n技术领域\n[0001] 本发明涉及一种近场噪声抑制片材，其适用于移动电话、智能手机等移动通信终端以及个人计算机等电子设备等中。\n背景技术\n[0002] 近年来，移动通信终端、电子设备等在多功能化和高性能化之外，还追求其小型化和轻量化，在狭小空间内高密度地配置电子零件，并且还谋求高速化。因此，电路和零件之间的电磁波噪声、特别是高频噪声成为很大的问题。为了抑制这样的近场电磁波噪声，提出了多种噪声抑制片材，并且将其实用化。\n[0003] 上述噪声抑制片材大多含有磁性材料以及／或者导电材料。例如，在日本特开\n2010-153542号中公开了如下所述的电磁波噪声抑制片材，其包括：基材；由Cu等金属或者碳离子、含有鳞片或者细线的导电性涂敷材料构成的导电层；以及由含有铁素体、铁硅铝磁合金、强磁性铁镍合金等软磁性材料的磁性涂敷材料构成的磁性层。此外，在日本特开\n2006-278433号中公开了如下所述的复合电磁波噪声抑制片材：例如将具有Febal-Cu1-Si12.5-Nb3-Cr1-B1（2 原子％）的组成的非晶片那样的、由软磁性体粉末和树脂构成且进行了压延加工的两枚以上的片材进行层叠，进一步利用压延加工而实现一体化。然而，在日本特开2010-153542号以及日本特开2006-278433号中公开的噪声抑制片材皆存在如下问题：不具有足够的近场噪声吸收能力，由于将磁性材料以及／或者导电材料揉入到树脂中而成形为片材，因此难以实现薄壁化，并且制造成本较高。\n[0004] 日本特开2006-279912号公开有如下所述的内容：对于由准微波带产生的电磁波噪声，为了将其反射系数（S11）设在-10dB以下、并且将噪声抑制效果（ΔPloss/Pin）设在0.5以上，作为将表面电阻整合为空间的特性阻抗Z（377Ω）的、被控制在10～1000Ω/单位面积的近场电磁波噪声抑制薄膜而采用AlO、CoAlO、CoSiO等溅射薄膜。然而，该近场电磁波噪声抑制薄膜的电磁波吸收能力不足。\n[0005] 日本特开2008-53383号公开有如下所述的电波吸收屏蔽膜：其包括：导热率在面方向与厚度方向上不同的石墨膜；以及形成在石墨薄膜之上的、含有Fe、Co、FeSi、FeNi、FeCo、FeSiAl、FeCrSi、FeBSiC等软磁性体、Mn-Zn系、Ba-Fe系、Ni-Zn系等的铁素体以及碳颗粒的软磁性层，该电波吸收屏蔽膜的散热特性优异。然而，该电波吸收屏蔽膜的电磁波吸收能力也不足。\n[0006] 日本特开2006-93414号公开有如下所述的传导噪声抑制体：在聚酯等塑料基体（也可以含有软磁性金属、碳、铁素体等粉末）上通过物理蒸镀法，形成含有从铁、钴以及镍中选出的至少一种软磁性金属的、厚度为0.005～0.3μm的传导噪声抑制层，传导噪声抑制层由具有隔开数埃的间隔排列软磁性金属原子而成的晶格的部分、不存在软磁性金属仅为塑料的非常小的部分以及软磁性金属未结晶化且分散在塑料中的部分构成。然而，在该传导噪声抑制体处，传导噪声抑制层为单层，难以控制其厚度。因此，几乎在所有的实施例中都在塑料基体上复合有软磁性金属。此外，在唯一使用未复合有软磁性金属的塑料基体的实施例4中，1GHz的电力损耗率（Ploss/Pin）小至0.55。\n发明内容\n[0007] 因而，本发明的目的在于，提供一种近场噪声抑制片材，其对数百MHz至数GHz的电磁波噪声具有稳定且较高的吸收能力，并且成本较低。\n[0008] 解决方案\n[0009] 鉴于上述目的而深入研究，其结果是，本发明者发现：（a）当调整在塑料膜上形成的金属薄膜的厚度使其表面电阻为20～150Ω/单位面积时，对于近场噪声能够发挥优异的吸收能力，但是由于表面电阻为20～150Ω/单位面积的金属薄膜非常薄，因此无论是在相同生产批次间还是不同生产批次间，都难以避免表面电阻的离散增大的情况；（b）若将这种具有金属薄膜的一对塑料膜借助导电性粘合剂以金属薄膜为内侧进行粘合，则表面电阻的离散会显著降低，从而可以稳定地得到具有所期望的表面电阻的金属薄膜，以至想到本发明。\n[0010] 即，本发明的近场噪声抑制片材的特征在于，将在一方的面上形成有金属薄膜的一对塑料膜借助导电性粘合剂以金属薄膜为内侧进行粘合，各金属薄膜由磁性金属构成，并且调整各金属薄膜的厚度以使粘合后的一对金属薄膜的表面电阻为20～150Ω/单位面积。\n[0011] 所述磁性金属优选为Ni、Fe、Co或者其合金，特别优选为Ni。两金属薄膜的厚度优选处于10～30nm的范围内。粘合后的一对金属薄膜的表面电阻优选为30～80Ω/单位面积。\n所述金属薄膜优选通过真空蒸镀法来形成。\n[0012] 发明效果\n[0013] 具有上述结构的本发明的近场噪声抑制片材具有下述优点：对数百MHz至数GHz的近场噪声具有较高的吸收能力，并且，尽管金属薄膜非常薄，但其表面电阻的离散显著降低，并且与电磁波吸收能力相关而使产品间的离散非常小。具有上述特征的本发明的近场噪声抑制片材对于移动电话、智能手机等各种移动通信终端、个人计算机等电子设备中的近场噪声的抑制是有效的。\n附图说明\n[0014] 图1是表示构成本发明的近场噪声抑制片材的一对片材的剖视图。\n[0015] 图2是表示本发明的近场噪声抑制片材的构造的放大剖视图。\n[0016] 图3是表示构成本发明的近场噪声抑制片材的片材的金属薄膜的构造的放大剖视图。\n[0017] 图4是表示测定形成于塑料膜上的金属薄膜的表面电阻的方法的俯视图。\n[0018] 图5（a）是表示测定本发明的近场噪声抑制片材的金属薄膜的表面电阻的方法的俯视图。\n[0019] 图5（b）是图5（a）的A-A剖视图。\n[0020] 图6是表示在塑料膜上蒸镀的Ni薄膜的表面电阻与目标膜厚之间的关系的图表。\n[0021] 图7（a）是表示测定相对于入射波的反射波的电力以及透射波的电力的系统的俯视图。\n[0022] 图7（b）是表示图7（a）的系统的局部剖视概略图。\n[0023] 图8是表示测定近场噪声抑制片材的内部退偶率的方法的局部剖视概略图。\n[0024] 图9是表示测定近场噪声抑制片材的相互退偶率的方法的局部剖视概略图。\n[0025] 图10是表示实施例1～3的近场噪声抑制片材的传送衰减率Ptp的图表。\n[0026] 图11是表示实施例1～3的近场噪声抑制片材的噪声吸收率Ploss/Pin的图表。\n[0027] 图12是表示实施例1～3的近场噪声抑制片材的内部退偶率Rda的图表。\n[0028] 图13是表示实施例1～3的近场噪声抑制片材的相互退偶率Rde的图表。\n[0029] 图14是表示实施例1以及比较例1、2的近场噪声抑制片材的噪声吸收率Ploss/Pin的图表。\n[0030] 图15是表示比较例1、2的近场噪声抑制片材的内部退偶率Rda的图表。\n[0031] 图16是表示比较例1、2的近场噪声抑制片材的相互退偶率Rde的图表。\n[0032] 图17是表示实施例4、5的近场噪声抑制片材的传送衰减率Ptp的图表。\n[0033] 图18是表示实施例4、5的近场噪声抑制片材的噪声吸收率Ploss/Pin的图表。\n[0034] 图19是表示实施例4、5的近场噪声抑制片材的内部退偶率Rda的图表。\n[0035] 图20是表示实施例4、5的近场噪声抑制片材的相互退偶率Rde的图表。\n[0036] 图21是表示实施例6以及比较例3、4的近场噪声抑制片材的传送衰减率Ptp的图表。\n[0037] 图22是表示实施例6以及比较例3、4的近场噪声抑制片材的噪声吸收率Ploss/Pin的图表。\n[0038] 图23是表示实施例6以及比较例3、4的近场噪声抑制片材的内部退偶率Rda的图表。\n[0039] 图24是表示实施例6以及比较例3、4的近场噪声抑制片材的相互退偶率Rde的图表。\n[0040] 图25是表示实施例1以及实施例7、8的近场噪声抑制片材的噪声吸收率Ploss/Pin的图表。\n[0041] 图26是表示实施例7的近场噪声抑制片材的传送衰减率Ptp、S11以及S21的图表。\n[0042] 图27是表示实施例7的近场噪声抑制片材的内部退偶率Rda的图表。\n[0043] 图28是表示实施例7的近场噪声抑制片材的相互退偶率Rde的图表。\n[0044] 图29是表示实施例8的近场噪声抑制片材的传送衰减率Ptp、S11以及S21的图表。\n[0045] 图30是表示实施例8的近场噪声抑制片材的内部退偶率Rda的图表。\n[0046] 图31是表示实施例8的近场噪声抑制片材的相互退偶率Rde的图表。\n[0047] 图32是表示比较例5～7的近场噪声抑制片材的传送衰减率Ptp的图表。\n[0048] 图33是表示比较例5～7的近场噪声抑制片材的噪声吸收率Ploss/Pin的图表。\n[0049] 图34是表示比较例5～7的近场噪声抑制片材的内部退偶率Rda的图表。\n[0050] 图35是表示比较例5～7的近场噪声抑制片材的相互退偶率Rde的图表。\n具体实施方式\n[0051] 参照附图对本发明的实施方式进行详细说明，若没有特别地声明则关于一个实施方式的说明也适用于其他实施方式。并且下述说明并不作限定用，也可以在本发明的技术思想的范围内进行各种变更。\n[0052] [1]近场噪声抑制片材的构成要素\n[0053] 如图1及图2所示，本发明的近场噪声抑制片材10通过导电性粘合剂3来粘合第一片材1和第二片材2而成，所述第一片材1由在一方的面上形成有金属薄膜1b的塑料膜1a构成，所述第二片材2由在一方的面上形成有金属薄膜2b的塑料膜2a构成。\n[0054] （1）塑料膜\n[0055] 形成各塑料膜1a、2a的树脂只要具有绝缘性并且具有足够的强度、挠性及加工性即可，并没有特别地限制，例如举出聚酯（聚对苯二甲酸乙酯等）、聚芳硫醚（聚苯硫醚等）、聚醚砜、聚醚醚酮、聚碳酸酯、丙烯酸树脂、聚苯乙烯、聚烯烃（聚乙烯、聚丙烯等）等。塑料膜的厚度优选为10～30μm左右。\n[0056] （2）金属薄膜\n[0057] 各金属薄膜1b、2b由磁性金属构成。作为磁性金属可以列举出Ni、Fe、Co或者其合金。金属薄膜1b既可以为单层也可以为不同磁性金属的多层，但是考虑到耐腐蚀性则优选为Ni的单层。金属薄膜可以通过溅射法、真空蒸镀法等公知的方法来形成，但是优选真空蒸镀法。\n[0058] 可知，若由磁性金属构成的薄膜1b、2b变薄，变成在经由导电性粘合剂3的层叠后具有20～150Ω/单位面积的表面电阻，则对于高频的近场噪声、具体来说6GHz以下、特别是\n1～3GHz的近场噪声的吸收能力会显著提高。该原因例如从放大金属薄膜1b的剖面而概略表示的图3可知，由于金属薄膜1b非常薄，因此整体上存在厚度不均，具有比较厚的区域1b1和比较薄的区域（也包括没有形成金属薄膜的部分）1b2。比较薄的区域1b2作为磁性间隙及高电阻区域发挥作用，通过近场噪声使在金属薄膜1b内流动的磁通量及电流衰减。\n[0059] 因而，将各金属薄膜1b、2b的膜厚调整为在经由导电性粘合剂3的层叠后具有20～\n150Ω/单位面积的表面电阻。具体而言，金属薄膜1b、2b的厚度优选为10～30nm，更优选为\n15～30nm，最优选为20～30nm。各金属薄膜1b、2b的表面电阻如图4所示由直流四端子法进行测定。此外，如图5（a）及图5（b）所示，使一方的试验片TP1大于另一方的试验片TP2，在一方的试验片TP1上设置端子4，利用直流四端子法进行测定。\n[0060] 但是，已知随着金属薄膜1b、2b变薄而不仅表面电阻增大，也具有表面电阻的离散显著增大的倾向。表面电阻的离散不仅存在于不同批次产品之间，还存在于同一蒸镀膜产品内。可以认为产生这样的离散是因为难以正确控制非常薄的金属薄膜的制造条件。以Ni薄膜为例，其表面电阻相对于目标厚度的变化如表1及图6所示。在此，目标厚度由形成金属薄膜的塑料膜的透光率与塑料膜自身的透光率之差求得。\n[0061] 【表1】\n[0062]\n[0063] （3）导电性粘合剂\n[0064] 粘合一对金属薄膜1b、2b的导电性粘合剂3以环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺、聚氨酯等作为胶合料，配合银粉、金粉、铜粉、钯粉、镍粉、碳粉等导电性填料而成。代表性的导电性粘合剂的体积电阻率、以及Ni与导电性粘合剂的连接电阻如下述表2、表3所示。\n[0065] 【表2】\n[0066]\n[0067] 【表3】\n[0068]\n[0069] [2]近场噪声抑制片材\n[0070] 这样，由于以非常薄的目标膜厚形成的金属薄膜的表面电阻较大离散，因此将形成有金属薄膜的一枚塑料膜作为期望的表面电阻的近场噪声抑制片材是非常困难的。表面电阻的离散引起近场噪声吸收能力的离散。经过深入研究，其结果是，若借助导电性粘合剂\n3粘合一对金属薄膜1b、2b，则将表面电阻的离散降低至优于预想情况。本发明的近场噪声抑制片材是在上述发现的基础上得到的。\n[0071] 例如，将具有不同膜厚的一对Ni薄膜利用银焊膏（藤仓化成株式会社制的“dotite”）作为导电性粘合剂以固体含量标准下1.5g/m2的涂敷量进行粘合的情况下，表面电阻如表4所示。由表4可知，当借助导电性粘合剂3粘合两枚Ni薄膜时，表面电阻不仅会减小，其离散的情况也会显著减少，因此可以稳定地得到具有所期望的吸收能力的近场噪声抑制片材。\n[0072] 【表4】\n[0073]\n[0074] 若粘合后的金属薄膜的表面电阻不足20Ω/单位面积，则其导电性过高，显示靠近金属薄膜的举动，因此其噪声吸收能力较低。另一方面，若粘合后的金属薄膜的表面电阻超过150Ω/单位面积，则其表面电阻过大，噪声吸收能力变得不充分。粘合后的金属薄膜的表面电阻优选为24～80Ω/单位面积，更加优选为30～80Ω/单位面积，最优选为35～60Ω/单位面积。\n[0075] 只要能够在处理中不使两片材剥离，导电性粘合剂3的涂敷量越少越好。具体而言，导电性粘合剂的涂敷量（固体含量标准）优选为0.5～5g/m2，更优选为1～2g/m2。\n[0076] [3]近场噪声吸收能力的测定\n[0077] （1）传送衰减率的测定\n[0078] 如图7（a）、图7（b）中所示，使用由50Ω的微带线MSL（64.4mm×4.4mm）、支承微带线MSL的绝缘基板200、与绝缘基板200的下表面粘合的接地大型电极201、与微带线MSL的两端连接的导电性销202、202、网络分析器NA、将网络分析器NA与导电性销202、202连接的同轴电缆203、203构成的系统，利用粘着剂将噪声抑制片材的试验片TP粘贴于微带线MSL，相对于0.1～6GHz的入射波而测定反射波S11的电力及透射波S12的电力，并利用下述式来求得传送衰减率Rtp。\n[0079] Rtp＝-10×log[10S21/10/（1-10S11/10）]\n[0080] （2）噪声吸收率的测定\n[0081] 从向图7（a）、图7（b）所示的系统入射的电力抵销反射波S11的电力及透射波S21的电力，从而求得电力损耗Ploss，用Ploss除以入射电力Pin而求得噪声吸收率Ploss/Pin。\n[0082] （3）内部退偶率的测定\n[0083] 内部退偶率Rda表示在同一印刷基板内的结合通过噪声抑制片材在多大程度上进行衰减，如图8所示，在与网络分析器NA连接的一对环状天线301、302的附近载置噪声抑制片材的试验片TP，通过测定0～6GHz的高频信号从一方的环状天线301发送到另一方的环状天线302时的衰减率而求得内部退偶率。\n[0084] （4）相互退偶率\n[0085] 相互退偶率Rde表示在两个印刷基板之间或者零件之间的结合借助噪声抑制片材在多大程度上得以衰减，如图9所示，在与网络分析器NA连接的一对环状天线301、302之间载置噪声抑制片材的试验片TP，通过测定0～6GHz的高频信号从一方的环状天线301发送到另一方的环状天线302时的衰减率而求得相互退偶率。\n[0086] 根据下述实施例对本发明进行更为详细的说明，但本发明并不局限于此。\n[0087] 实施例1～3\n[0088] 在厚度为16μm的PET薄膜1a上通过真空蒸镀法形成下述表5所示厚度的Ni薄膜1b，得到第一片材1。同样，在厚度为16μm的PET薄膜2a上形成下述表5所示厚度的Ni薄膜2b，得到第二片材2。将第一片材1及第二片材2以Ni薄膜1b、2b为内侧，使用以固体含量标准为\n2\n1.5g/m的银焊膏（藤仓化成株式会社制的“dotite”）作为导电性粘合剂进行粘合。从得到的层叠膜的任意五处切下近场噪声抑制片材的试验片TP。根据图5（a）及图5（b）所示方法测定出各试验片TP的表面电阻。表面电阻的范围及其平均值与各Ni薄膜的厚度一并显示在表\n5中。由表5可知，各实施例的表面电阻之间的离散较小。\n[0089] 【表5】\n[0090]\n[0091] 将具有最接近平均值的表面电阻的试验片TP用粘着剂粘合在图7（a）及图7（b）所示的系统的微带线MSL上，测定反射波S11的电力以及透射波S21的电力，根据上述[3]中的方法（1）、（2）分别求得传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin。进一步，根据图8所示方法测定各试验片TP的内部退偶率Rda，根据图9所示方法测定各试验片TP的相互退偶率Rde。传送衰减率Rtp如图10所示，噪声吸收率Ploss/Pin如图11所示，内部退偶率Rda如图12所示，相互退偶率Rde如图13所示。需要说明的是，在各图中，［］中的数字表示（一方的片材中Ni薄膜的厚度）／（另一方的片材中Ni薄膜的厚度），（）中的数字表示表面电阻。以下相同。\n[0092] 由图10可知，实施例1～3的近场噪声抑制片材均具有良好的传送衰减率Rtp，但表面电阻为40Ω/单位面积的实施例1中的近场噪声抑制片材表现出最优的传送衰减率Rtp。\n对于噪声吸收率Ploss/Pin，由图11可知，实施例1～3的近场噪声抑制片材均表现良好，特别是约从1GHz开始为0.8以上。此外，由图12、图13可知，实施例1～3的近场噪声抑制片材均表现出良好的内部退偶率Rda及相互退偶率Rde。由此可知，实施例1～3的近场噪声抑制片材在包含1～3GHz的低频区域的较广频率范围内具有优异的噪声衰减能力。\n[0093] 比较例1、2\n[0094] 针对厚度为200μm的市售噪声抑制片材NSS（大同特殊钢株式会社制造的“HyperShield”）（比较例1）、以及厚度为100μm的市售噪声抑制片材NSS（NEC东金株式会社制造的Busteraid）（比较例2），与实施例1相同求得噪声吸收率Ploss/Pin、内部退偶率Rda及相互退偶率Rde。噪声吸收率Ploss/Pin如图14所示，内部退偶率Rda如图15所示，相互退偶率Rde如图16所示。由图14可知，与实施例1相比，比较例1、2的噪声抑制片材的噪声吸收率Ploss/Pin较差。此外，由图15、图16可知，比较例1、2的噪声抑制片材的内部退偶率Rda及相互退偶率Rde均较差。\n[0095] 实施例4及实施例5\n[0096] 在厚度为16μm的PET薄膜1a上通过真空蒸镀法形成下述表6所示厚度的Ni薄膜1b，得到第一片材1。同样，在厚度为16μm的PET薄膜2a上形成下述表6所示厚度的Ni薄膜2b，得到第二片材2。将第一片材1及第二片材2以Ni薄膜1b、2b为内侧，使用与实施例1同样的导电性粘合剂进行粘合。从得到的层叠膜的任意五处切下近场噪声抑制片材的试验片TP。根据图5（a）及图5（b）所示的方法来测定各试验片TP的表面电阻。将表面电阻的范围及其平均值与各Ni薄膜的厚度一并显示在表6中。由表6可知，各实施例的表面电阻之间的离散较小。\n[0097] 【表6】\n[0098]\n[0099] 此外，根据与实施例1相同的方法，求得传送衰减率Rtp、噪声吸收率Ploss/Pin、内部退偶率Rda以及相互退偶率Rde。传送衰减率Rtp如图17所示，噪声吸收率Ploss/Pin如图18所示，内部退偶率Rda如图19所示，相互退偶率Rde如图20所示。由图17可知，表面电阻为100Ω/单位面积、150Ω/单位面积的实施例4、5的近场噪声抑制片材均具有良好的传送衰减率Rtp，但与表面电阻为40～81Ω/单位面积的实施例1～3的近场噪声抑制片材相比较差。由图18～图20可知，实施例4、5的近场噪声抑制片材均从约1GHz开始具有高达0.8以上的噪声吸收率Ploss/Pin，并且具有良好的内部退偶率Rda及相互退偶率Rde。由此可知，实施例4、5的近场噪声抑制片材也在包含1～3GHz的低频区域的较广频率范围内具有广泛优异的噪声衰减能力。\n[0100] 实施例6、比较例3、4\n[0101] 在厚度为16μm的PET薄膜1a上通过真空蒸镀法形成下述表7所示厚度的Ni薄膜1b，得到第一片材1。同样，在厚度为16μm的PET薄膜2a上形成下述表7所示厚度的Ni薄膜2b，得到第二片材2。第一片材1及第二片材2以Ni薄膜1b、2b为内侧，使用与实施例1同样的导电性粘合剂进行粘合。从得到的层叠膜的任意五处切下近场噪声抑制片材的试验片TP。根据图5（a）及图5（b）所示的方法测定各试验片TP的表面电阻。将表面电阻的范围及其平均值与各Ni薄膜的厚度一并显示在表7中。由表7可知，实施例6的表面电阻的离散较小。比较例3、4的表面电阻几乎不存在离散，但由于小至约4Ω/单位面积，因此，如下所述地近场噪声的吸收能力显著变差。\n[0102] 【表7】\n[0103]\n[0104] 此外，根据与实施例1相同的方法，求得传送衰减率Rtp、噪声吸收率Ploss/Pin、内部退偶率Rda以及相互退偶率Rde。传送衰减率Rtp如图21所示，噪声吸收率Ploss/Pin如图22所示，内部退偶率Rda如图23所示，相互退偶率Rde如图24所示。由图21可知，表面电阻为24Ω/单位面积的实施例6的近场噪声抑制片材具有良好的传送衰减率Rtp，但表面电阻为4.5Ω/单位面积的比较例3的近场噪声抑制片材以及表面电阻为4.1Ω/单位面积的比较例4的近场噪声抑制片材的传送衰减率Rtp较差。由图22可知，实施例6的近场噪声抑制片材在1～\n3GHz的低频率区域也具有较高的噪声吸收率Ploss/Pin，比较例3、4的近场噪声抑制片材的噪声吸收率Ploss/Pin较低。此外，关于相互退偶率Rde，与实施例6相比，比较例3、4的近场噪声抑制片材6显著变差。由此可知，若表面电阻不满20Ω/单位面积，则传送衰减率Rtp、噪声吸收率Ploss/Pin以及相互退偶率Rde均降低。\n[0105] 实施例7、8\n[0106] 在厚度为16μm的PET薄膜1a上通过真空蒸镀法形成下述表8所示厚度的Ni薄膜1b，得到第一片材1。同样，在厚度为16μm的PET薄膜2a上形成下述表6所示厚度的Ni薄膜2b，得到第二片材2。将第一片材1及第二片材2以Ni薄膜1b、2b为内侧，使用与实施例1同样的导电性粘合剂进行粘合。从得到的层叠膜的任意五处切下近场噪声抑制片材的试验片TP。根据图5（a）及图5（b）所示方法来测定各试验片TP的表面电阻。将表面电阻的范围及其平均值与各Ni薄膜的厚度一并显示在表6中。由表8可知，各实施例的表面电阻之间的离散较小。\n[0107] 【表8】\n[0108]\n[0109] 根据与实施例1相同的方法求得的噪声吸收率Ploss/Pin如图25所示。实施例7的传送衰减率Rtp、内部退偶率Rda以及相互退偶率Rde分别如图26～28所示，实施例8的传送衰减率Rtp、内部退偶率Rda以及相互退偶率Rde分别如图29～31所示。由图25可知，实施例7、8的噪声吸收率Ploss/Pin均与实施例1同等程度的良好，均从约1GHz开始达到0.8以上。由图26～31可知，实施例7、8的近场噪声抑制片材均具有良好的传送衰减率Rtp、内部退偶率Rda以及相互退偶率Rde。由此可知，表面电阻为44Ω/单位面积及33Ω/单位面积的实施例7、8的近场噪声抑制片材也在包含1～3GHz的低频区域的较广频率范围内具有广泛而优异的噪声衰减能力。\n[0110] 比较例5～7\n[0111] 在厚度为16μm的PET薄膜1a上通过真空蒸镀法形成下述表9所示厚度的Ni薄膜1b，制成仅由第一片材1构成的比较例5及7的近场噪声抑制片材的试验片TP。此外，将在厚度为\n16μm的PET薄膜1a上通过真空蒸镀法形成有下述表10所示厚度的Ni薄膜1b的第一片材1，与在厚度为16μm的PET薄膜2a上形成有下述表9所示厚度的Ni薄膜2b的第二片材2以Ni薄膜\n1b、2b为内侧，使用与实施例1同样的导电性粘合剂进行粘合，制造比较例6的近场噪声抑制片材的试验片TP。根据图5（a）及图5（b）所示方法来测定各试验片TP的表面电阻。结果如表9所示。\n[0112] 【表9】\n[0113]\n[0114] 通过与实施例1相同的方法，求得传送衰减率Rtp、噪声吸收率Ploss/Pin、内部退偶率Rda以及相互退偶率Rde。传送衰减率Rtp如图32所示，噪声吸收率Ploss/Pin如图33所示，内部退偶率Rda如图34所示，相互退偶率Rde如图35所示。由图32、图33可知，比较例5～7的近场噪声抑制片材的传送衰减率Rtp均显著降低，并且比较例7的噪声吸收率Ploss/Pin也有所降低。由此可知，比较例5～7的近场噪声抑制片材在传送衰减率Rtp及噪声吸收率Ploss/Pin上较差。