写入到自旋矩磁随机存取存储器的方法

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专利名称	写入到自旋矩磁随机存取存储器的方法
申请号	CN201280069024.1	申请日期	2012-12-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-09-16	公开/公告号	CN104919528A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C7/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C7/00 数字存储器信息的写入或读出装置（G11C 5/00优先；用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕	IPC分类号	G;1;1;C;7;/;0;0查看分类表>
申请人	艾沃思宾技术公司	申请人地址	美国亚利桑那变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	艾沃思宾技术公司	当前权利人	艾沃思宾技术公司
发明人	D·豪撒梅迪恩
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	袁玥

摘要

用于确定对于自旋矩磁随机存取存储器的低写入错误率操作的优化的写入模式的方法。该方法提供优化写入错误率而不会影响存储器速度的方式。该方法包括一个或多个写入脉冲。脉冲可以在幅值、持续时间，以及形状方面独立。各种示例性实施例基于存储器操作条件，例如，操作温度，来调整写入模式。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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