基于Bi基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201611071705.8
IPC分类号：G01T1/24
申请日期：
2016-11-29
申请人：
华中科技大学

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著录项信息

专利名称	基于Bi基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及制备方法
申请号	CN201611071705.8	申请日期	2016-11-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-24	公开/公告号	CN106711272A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01T1/24 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01T 核辐射或X射线辐射的测量（材料的辐射分析，质谱测定法入G01N 23/00用以测定辐射或粒子的存在、强度、密度或能量的管入H01J 47/00） G01T1/00 X射线辐射、γ射线辐射、微粒子辐射或宇宙线辐射的测量（G01T 3/00，G01T 5/00优先）〔2〕 G01T1/16 辐射强度测量（G01T 1/29优先）〔2〕 G01T1/24 用半导体探测器	IPC分类号	G;0;1;T;1;/;2;4查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	唐江;潘伟程;巫皓迪;罗家俊;牛广达;周英
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	张建伟

摘要

本发明公开了一种基于Bi基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及其制备方法，涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸光层，电子选择性接触选择层，空穴选择性接触层，分别贴合在所述吸光层的两面，两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触，作为器件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度，环境友好，稳定等优点。

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