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CMOS图像传感器及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510097491.7
  • IPC分类号:H01L27/146;H01L21/822
  • 申请日期:
    2005-12-28
  • 申请人:
    东部亚南半导体株式会社
著录项信息
专利名称CMOS图像传感器及其制造方法
申请号CN200510097491.7申请日期2005-12-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-08-16公开/公告号CN1819226
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2查看分类表>
申请人东部亚南半导体株式会社申请人地址
韩国首尔 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东部亚南半导体株式会社当前权利人东部亚南半导体株式会社
发明人任劤爀
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人余刚
摘要
本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法,其中,阻止透射过微透镜的光超出光电二极管区,以使入射光的损失最小化,并改善CMOS图像传感器的低照度特性。该CMOS图像传感器包括:半导体衬底,其包括晶体管区和光电二极管区;栅电极,形成于半导体衬底的晶体管区上;中间层介电层,形成于具有栅电极的半导体衬底的整个表面上;微透镜,其形成于中间层介电层之上,用于会聚光;以及金属阻挡物,其形成于中间层介电层中,用于围绕中间层介电层的对应于光电二极管区的部分,用于将透射过微透镜但是超出光电二极管区的光反射到光电二极管区中。

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