电阻式存储装置及其写入电压的调整方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010381741.4
IPC分类号：G11C13/00
申请日期：
2020-05-08
申请人：
华邦电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	电阻式存储装置及其写入电压的调整方法
申请号	CN202010381741.4	申请日期	2020-05-08
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-09	公开/公告号	CN113628652A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C13/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C13/00 特征在于使用不包括在G11C 11/00，G11C 23/00或G11C 25/00各组内的存储元件的数字存储器	IPC分类号	G;1;1;C;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人	华邦电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾台中市大雅区科雅一路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华邦电子股份有限公司	当前权利人	华邦电子股份有限公司
发明人	郑如杰;郭盈杉;林立伟;郑隆吉
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	张娜;臧建明

摘要

本发明提供一种电阻式存储装置及其写入电压的调整方法。写入电压的调整方法包括：选择电阻式存储器中的受测存储单元数组；依据一重置电压以针对受测存储单元数组中的多个存储单元来执行N次重置动作，以及依据设定电压对存储单元执行N次设定动作，其中N为大于1的整数；计算重置动作的重置时间变化率以及设定动作的设定时间变化率；以及，依据重置时间变化率以及设定时间变化率来调整设定电压以及重置电压的其中之一电压值，以平衡存储单元的重置时间以及设定时间。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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