一种控制基座外缘聚焦环温度的组件

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201220328056.6
IPC分类号：H01J37/32;H01L21/67
申请日期：
2012-07-06
申请人：
中微半导体设备（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种控制基座外缘聚焦环温度的组件
申请号	CN201220328056.6	申请日期	2012-07-06
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	中微半导体设备（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司	当前权利人	中微半导体设备（上海）股份有限公司
发明人	彭帆;吴狄;左涛涛
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	王洁

摘要

本实用新型公开了一种控制基座外缘聚焦环温度的组件，所述组件位于等离子体处理室内，所述等离子体处理室内包括一基座，用以支撑待加工晶片，所述待加工晶片外缘环绕设置一聚焦环，所述聚焦环下方设置一导热环，所述聚焦环的下表面与所述导热环之间设置第一导热垫，所述导热环与所述基座之间设置第二导热垫。通过在所述聚焦环下方设置多层导热层，最大效率的保证聚焦环的热量快速传递到所述基座上，由于所述基座内部设置有冷却系统，所述聚焦环的热量传递到所述基座后可以被基座内的冷却系统带走，从而可以保持所述基座温度控制在要求范围内。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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