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正极活性物质及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201480001956.1
  • IPC分类号:H01M4/505;C01D15/00;C01G45/00;H01M10/052
  • 申请日期:
    2014-07-25
  • 申请人:
    株式会社LG化学
著录项信息
专利名称正极活性物质及其制备方法
申请号CN201480001956.1申请日期2014-07-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-04-08公开/公告号CN104507866A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M4/505IPC分类号H;0;1;M;4;/;5;0;5;;;C;0;1;D;1;5;/;0;0;;;C;0;1;G;4;5;/;0;0;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2查看分类表>
申请人株式会社LG化学申请人地址
韩国首尔 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社LG化学当前权利人株式会社LG化学
发明人郭益淳;曹昇范;蔡和锡
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人金龙河;穆德骏
摘要
本发明提供包括多晶锂锰氧化物以及位于上述多晶锂锰氧化物的表面的含钠涂敷层的正极活性物质及其制备方法。本发明一实施例的正极活性物质在多晶锂锰氧化物表面包括含钠涂敷层,由此防止多晶锂锰氧化物与电解液的直接接触,从而能够抑制正极活性物质与电解液的副反应。而且,本发明能够使上述锂锰氧化物的结构稳定,因而解决了杨泰勒晶格收缩(Jahn‑Teller distortion)与Mn2+的溶出问题,从而能够提高二次电池的振实密度(tap density)、寿命特性以及充放电容量特性。

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