电路装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610058500.6
IPC分类号：H01L25/00;H01L23/488;H01L23/12;H01L21/60;H05K1/18;H05K1/02;H05K3/32
申请日期：
2006-03-28
申请人：
丰田自动车株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	电路装置及其制造方法
申请号	CN200610058500.6	申请日期	2006-03-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-10-04	公开/公告号	CN1841726
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;5;K;1;/;1;8;;;H;0;5;K;1;/;0;2;;;H;0;5;K;3;/;3;2查看分类表>
申请人	丰田自动车株式会社	申请人地址	日本爱知县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	丰田自动车株式会社	当前权利人	丰田自动车株式会社
发明人	水野崇人;山本炼;胁田茂
代理机构	北京市中咨律师事务所	代理人	马江立;柴智敏

摘要

本发明涉及电路装置及其制造方法。该电路装置包括陶瓷基底，设置在陶瓷基底上的铝配线层以及电连接到配线层上的半导体装置和母线。配线层的一部分上镀有镍层。因而，提供了其中配线层覆盖有焊料润湿性优于铝的镍的被覆盖区域，以及其中从陶瓷基底上方看配线层被暴露的暴露区域。半导体装置通过焊料连接到被覆盖区域中的镍层。母线通过超声波接合到从陶瓷基底上方看被暴露的暴露区域内的配线层。因此，提供了包括以足够的接合强度接合到陶瓷基底上的半导体装置和母线的电路装置及其制造方法。

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