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一种GaNMIS沟道HEMT器件

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201720738269.9
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L21/336;H01L29/778
  • 申请日期:
    2017-06-23
  • 申请人:
    北京华进创威电子有限公司
著录项信息
专利名称一种GaNMIS沟道HEMT器件
申请号CN201720738269.9申请日期2017-06-23
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8查看分类表>
申请人北京华进创威电子有限公司申请人地址
北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京华进创威电子有限公司当前权利人北京华进创威电子有限公司
发明人倪炜江;袁俊;杨永江;张敬伟;李明山;孙安信
代理机构北京中创阳光知识产权代理有限责任公司代理人张宇锋
摘要
本实用新型公开了一种GaN MIS沟道HEMT器件,所述HEMT器件的材料结构包括衬底以及依次向上生长的AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层。此外,本实用新型还公开了该HEMT器件的制备方法。本实用新型在GaN外延过程中在沟道层上插入AlN薄层,既作为势垒层对二维电子气进行限域,又作为后续工艺中的刻蚀缓冲层。通过AlN插入层降低和消除了等离子体刻蚀栅凹槽时对GaN表面的损伤,改善了GaN MIS界面的性能,从而起到减少了沟道电阻和总导通电阻的作用。

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