光电二极管、用于制造这种光电二极管的方法、光学通信设备和光学互连模块

发明专利无效专利

申请号：
CN200780016396.7
IPC分类号：H01L31/108
申请日期：
2007-03-08
申请人：
日本电气株式会社

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著录项信息

专利名称	光电二极管、用于制造这种光电二极管的方法、光学通信设备和光学互连模块
申请号	CN200780016396.7	申请日期	2007-03-08
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-05-20	公开/公告号	CN101438419
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/108 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/108 为肖特基型势垒的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;8查看分类表>
申请人	日本电气株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日本电气株式会社	当前权利人	日本电气株式会社
发明人	藤方润一;大桥启之
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	孙志湧;穆德骏

摘要

光电二极管的高光接收灵敏度和高速被同时实现。所述光电二极管设置有半导体层(1)和一对金属电极(2)，所述金属电极(2)以间隔(d)设置在半导体层(1)的表面上，并且形成MSM结。所述间隔(d)满足关系λ>d>λ/100，其中λ是入射光的波长。所述金属电极(2)能够感生表面等离子体。所述电极中的至少一个与半导体层(1)形成肖特基结，并且下端部分嵌入半导体层(1)中到小于λ/2n的深度的位置，其中n是半导体层(1)的折射率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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