一种半导体硅片加工用蚀刻装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202110026233.9
IPC分类号：H01L21/67;H01L21/306;B05B9/04
申请日期：
2021-01-08
申请人：
开化晶芯电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种半导体硅片加工用蚀刻装置
申请号	CN202110026233.9	申请日期	2021-01-08
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-20	公开/公告号	CN112687590A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;;;B;0;5;B;9;/;0;4查看分类表>
申请人	开化晶芯电子有限公司	申请人地址	浙江省衢州市开化县华埠镇江东南路2号405(自主申报) 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	开化晶芯电子有限公司	当前权利人	开化晶芯电子有限公司
发明人	祝凯
代理机构	温州青科专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	虞乘乘

摘要

本发明公开了一种半导体硅片加工用蚀刻装置，属于半导体硅片加工设备技术领域，包括基台，所述基台顶部设置有蚀刻箱，所述蚀刻箱的上端设置有箱盖，所述箱盖顶部固定安装有电动推杆，所述喷洒盘上设置有喷嘴，所述蚀刻箱的底部开设有连通于其内部的排液口，所述排液口上设置有排液阀；通过水泵抽取蚀刻箱内部蚀刻液并通过喷洒盘上的喷嘴对半导体硅片的两面进行蚀刻处理，区别于传统将半导体硅片静置平放于蚀刻液中的蚀刻方式，缩短了蚀刻工序所需的时间，提高了蚀刻效率，并且保证了半导体硅片两面的蚀刻速率一致性，从而提高了半导体硅片加工的质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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