一种UVLED外延结构及其生长方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910866087.3
IPC分类号：H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00
申请日期：
2019-09-09
申请人：
扬州中科半导体照明有限公司

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著录项信息

专利名称	一种UVLED外延结构及其生长方法
申请号	CN201910866087.3	申请日期	2019-09-09
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-11-29	公开/公告号	CN110518101A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/04 具有一个量子效应结构或超晶格，例如隧道结〔2010.01〕 H01L33/06 在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	扬州中科半导体照明有限公司	申请人地址	江苏省扬州市开发区临江路186号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	扬州中科半导体照明有限公司	当前权利人	扬州中科半导体照明有限公司
发明人	李志聪;曹俊文;戴俊;王国宏
代理机构	扬州市锦江专利事务所	代理人	江平

摘要

一种UV LED外延结构及其生长方法，涉及LED外延生长技术领域和近紫外UV LED固化技术领域。先在衬底上外延生长缓冲层、非故意掺杂AlGaN层和n型掺杂AlGaN层，然后制作出多量子阱有源层的发光层第一、第二和第三生长区域，并在相应区域内外延生长发光量子阱和发光量子势垒，最后在外延结构上通过光刻工艺刻蚀掉多量子阱有源层第一和第二发光层上的绝缘介质掩膜层，再外延生长电子阻挡层和p型掺杂AlGaN层。本发明达到了在同一LED芯片上制造出三种不同波长的UV光源的目的，可减少UV光源数量和曝光工序，简化封装与应用的工艺制作流程，降低了产品失效率，提高功率密度，改善固化效果。

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