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用于超低空闲功率操作的原边控制电路和方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200980127253.2
IPC分类号：H02M3/335;H02M3/156
申请日期：
2009-04-03
申请人：
IGO公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于超低空闲功率操作的原边控制电路和方法
申请号	CN200980127253.2	申请日期	2009-04-03
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-06-08	公开/公告号	CN102089962A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02M3/335 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节（专用于没有可动部件的电子时钟的电流或者电压的变换入G04G 19/02；调节电或磁变量的系统，例如用变压器、电抗器、或扼流圈及这种系统与静止变换器的组合，一般入G05F；用于数字计算机的入G06F 1/00；变压器入H01F；与类似的或其他供电电源联合运行的一个变换器的连接或控制入H02J；机电变换器入H02K 47/00；控制变压器、电抗器或扼流圈、电动机、发电机或机电变换器的控制调节入H02P；脉冲发生器入H03K）〔4，5〕 H02M3/00 直流功率输入变换为直流功率输出 H02M3/22 带有中间变换为交流的 H02M3/24 用静态变换器的 H02M3/28 应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件产生中间交流电的 H02M3/325 应用需要连续使用控制信号的三极管或晶体管式的器件的〔2〕 H02M3/335 仅用半导体器件的〔2〕	IPC分类号	H;0;2;M;3;/;3;3;5;;;H;0;2;M;3;/;1;5;6查看分类表>
申请人	IGO公司	申请人地址	美国亚利桑那变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	IGO公司	当前权利人	IGO公司
发明人	R·G·杜波斯
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	袁玥

摘要

公开了一种用于在空闲模式中将功耗减少到超低级别，诸如，有效功率的大约1/10到1/1000或更低的方法和电路。一种超低空闲电源包括初级电路、次级电路和控制电路。控制电路监视所述初级电路的行为，并且确定是否存在空闲状态或没有负载状态，并且如果是，则断开初级电路。通过断开初级电路，该超低空闲电源的功耗被减小到超低级别。

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