加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种高折射率氮化硅减反射膜的制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310622895.8
  • IPC分类号:H01L31/18;H01L31/0216
  • 申请日期:
    2013-11-30
  • 申请人:
    浙江光隆能源科技股份有限公司
著录项信息
专利名称一种高折射率氮化硅减反射膜的制作方法
申请号CN201310622895.8申请日期2013-11-30
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2014-02-26公开/公告号CN103606599A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6查看分类表>
申请人浙江光隆能源科技股份有限公司申请人地址
浙江省嘉兴市海宁市斜桥镇庆云洛塘路7号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江光隆能源科技股份有限公司当前权利人浙江光隆能源科技股份有限公司
发明人朱金浩
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种高折射率氮化硅减反射膜的制作方法,其是在经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅片上表面依次镀一层折射率为2.10~2.15的高折射率氮化硅减反射膜、一层折射率为2.25~2.30的高折射率氮化硅减反射膜和再一层折射率为2.00~2.05的低折射率减反射膜而获得由三层氮化硅减反射膜组成的高折射率氮化硅减反射膜,其折射率为2.12~2.16。本发明制作的高折射率减反射膜,能满足电池组件抗PID的要求;而且,与传统高折射率减反射膜工艺相比,成品转换率提升0.05%以上,成品开路电压提升1mV,短路电流提升30mA左右。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供