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一种超级结碳化硅MOSFET器件及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410037819.5
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
  • 申请日期:
    2014-01-26
  • 申请人:
    国家电网公司;国网智能电网研究院
著录项信息
专利名称一种超级结碳化硅MOSFET器件及其制作方法
申请号CN201410037819.5申请日期2014-01-26
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2015-07-29公开/公告号CN104810397A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人国家电网公司;国网智能电网研究院申请人地址
北京市西城区西长安街86号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人国家电网有限公司,全球能源互联网研究院有限公司当前权利人国家电网有限公司,全球能源互联网研究院有限公司
发明人杨霏;吴昊;于坤山
代理机构北京安博达知识产权代理有限公司代理人徐国文
摘要
本发明公开了一种超级结碳化硅MOSFET器件及其制作方法,主要解决现有高压碳化硅MOSFET导通电阻较大的问题。该器件包括:源极(1)、栅极(2)、栅氧介质(3)、N型源区(4)、P阱区(5)、JEFT区(6)、P型外延柱区(7)、N‑外延(8)、P型衬底柱区(9)、N+衬底(10)和漏极(11),其中在P阱的正下方的N+衬底与N‑外延的部分分别设有P型外延柱区(7)和P型衬底柱区(9),本发明可以有效降低器件的导通电阻,同时改善器件体内的电场分布,提高器件的耐压。本发明器件具有击穿电压高,导通电阻低,开关速度快、开关损耗低等优点,同时制作工艺简单,易于实现,可用于电力电子变压器,新能源发电、光伏逆变器等领域。

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