瞬态电压抑制二极管封装结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201310311149.7
IPC分类号：H01L23/49;H01L23/36
申请日期：
2013-07-23
申请人：
中国振华集团永光电子有限公司

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著录项信息

专利名称	瞬态电压抑制二极管封装结构
申请号	CN201310311149.7	申请日期	2013-07-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-02-11	公开/公告号	CN104347565A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/49 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/49 类似线状的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6查看分类表>
申请人	中国振华集团永光电子有限公司	申请人地址	贵州省贵阳市新添大道北段270号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国振华集团永光电子有限公司	当前权利人	中国振华集团永光电子有限公司
发明人	许小兵;程勇;吴贵松;李大强;许晓鹏
代理机构	云南派特律师事务所	代理人	张怡

摘要

本发明涉及半导体结构，具体是一种瞬态电压抑制二极管封装结构；其包括基底、设置于基底上端面的封装体及设置于基底下端面的数个电极，所述基底上端具有凹槽，该凹槽内设置有管芯组件，所述管芯组件包括数个呈层状堆叠的铜电极片及设置于相邻铜电极片之间的管芯，所述封装体与基底形成一腔室，所述管芯组件设置于该腔室内；本发明中铜电极片具有很好的散热性，所以使得整个产品散热性好、可靠性高、使用寿命长，此外本发明还具有引线不易断裂，生产效率高等优点。

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