纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201910405886.0
IPC分类号：H01L51/56;H01L51/50;H01L27/32
申请日期：
2019-05-16
申请人：
京东方科技集团股份有限公司

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专利名称	纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置
申请号	CN201910405886.0	申请日期	2019-05-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-08-16	公开/公告号	CN110137387A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/56 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;7;/;3;2查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司
发明人	张振琦
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	刘伟;蔡丽

摘要

本发明涉及显示领域，尤其涉及纳米粒子层图案化的方法、量子点发光器件及显示装置。本发明的纳米粒子层图案化的方法，包括以下步骤：(S1)将第一碱基连接于基板的预设区域的表面，形成修饰有第一碱基的基板；(S2)在所述基板的预设区域内沉积纳米粒子，所述纳米粒子的配体上包含第二碱基，所述第一碱基与第二碱基通过氢键连接，自组装形成纳米粒子层；(S3)去除未参与氢键连接的纳米粒子。本发明不需要采用喷墨打印法或者光刻法即可完成纳米粒子层，特别是量子点层的图案化，能够形成高分辨率、性能良好的纳米粒子层。

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