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甲烷氧化菌的培养方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510137456.3
  • IPC分类号:C12N1/26
  • 申请日期:
    2005-12-30
  • 申请人:
    清华大学
著录项信息
专利名称甲烷氧化菌的培养方法
申请号CN200510137456.3申请日期2005-12-30
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-07-26公开/公告号CN1807597
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C12N1/26IPC分类号C;1;2;N;1;/;2;6查看分类表>
申请人清华大学申请人地址
北京市海淀区清华园 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学当前权利人清华大学
发明人缑仲轩;邢新会;吴昊;王磊;韩冰
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司代理人关畅
摘要
本发明公开了一种甲烷氧化菌的培养方法。该方法是在常规培养甲烷氧化菌的培养基中添加经甲烷饱和的油酸;其中,当对甲烷氧化菌进行液体培养时,将经甲烷饱和的油酸直接加入培养基中,经甲烷饱和的油酸在培养基中的质量百分含量为0.1-20%;当对甲烷氧化菌进行固体培养时,将经甲烷饱和的油酸涂布在固体培养基表面,涂层的厚度为0.5-3mm。与常规培养方法相比,本发明的方法可以成倍地提高甲烷氧化菌的生长速度,最高达50倍。在用该方法对甲烷氧化菌进行固体平板培养时,不再需要频繁地给固体平板补充甲烷气体,菌体的生长速度也得到显著提高。本发明将在甲烷氧化菌及其相关产品的工业化生产中发挥巨大作用,应用前景广阔。

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