具有普适性的Au修饰氧化物半导体的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610001783.4
IPC分类号：B22F9/24
申请日期：
2016-01-05
申请人：
河南师范大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有普适性的Au修饰氧化物半导体的制备方法
申请号	CN201610001783.4	申请日期	2016-01-05
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-05-04	公开/公告号	CN105537620A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B22F9/24 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B22 铸造；粉末冶金 B22F 金属粉末的加工；由金属粉末制造制品；金属粉末的制造（用粉末冶金法制造合金入C22C；）；金属粉末的专用装置或设备 B22F9/00 制造金属粉末或其悬浮物；所用的专用装置或设备 B22F9/16 用化学方法〔3〕 B22F9/18 利用金属化合物的还原〔3〕 B22F9/24 从液体金属化合物开始，如溶液〔3〕	IPC分类号	B;2;2;F;9;/;2;4查看分类表>
申请人	河南师范大学	申请人地址	河南省新乡市牧野区建设东路46号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	河南师范大学	当前权利人	河南师范大学
发明人	徐芳;白丹丹;党治国;武大鹏;高志勇;蒋凯
代理机构	新乡市平原专利有限责任公司	代理人	路宽

摘要

本发明公开了一种具有普适性的Au修饰氧化物半导体的制备方法，具体步骤为：（1）将HAuCl4溶于无水乙醇，再加入聚乙烯吡咯烷酮并搅拌均匀得到混合溶液，混合溶液中HAuCl4的摩尔浓度为0.01~0.1mmol/L，聚乙烯吡咯烷酮的质量浓度为2g/L；（2）将氧化物半导体浸入步骤（1）得到的混合溶液中，在紫外光下照射10~30分钟，然后将样品取出清洗并自然晾干得到Au修饰氧化物半导体。本发明操作简单，成本低廉，便于大范围推广应用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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