一种变掺杂变组分的AlGaNGaN中子探测器

发明专利有效专利

申请号：
CN201710095598.0
IPC分类号：H01L31/0304;H01L31/118;H01L31/18
申请日期：
2017-02-22
申请人：
东华理工大学

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专利名称	一种变掺杂变组分的AlGaNGaN中子探测器
申请号	CN201710095598.0	申请日期	2017-02-22
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-24	公开/公告号	CN106711250A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0256 以材料为特征的〔5〕 H01L31/0264 无机材料〔5〕 H01L31/0304 除掺杂或其他杂质外，只包含AⅢBⅤ化合物的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;0;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	东华理工大学	申请人地址	江西省抚州市学府路56号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东华理工大学	当前权利人	东华理工大学
发明人	汤彬;朱志甫;邹继军;王盛茂;邓文娟;彭新村
代理机构	江西省专利事务所	代理人	胡里程

摘要

本发明公开一种变掺杂变组分AlGaN/GaN中子探测器，为PIN结构，以自支撑n型GaN作为衬底，在衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术顺序生长变掺杂变组分n型AlGaN层、未掺杂GaN层和p型GaN层；在p型GaN和n型衬底上沉积金属并做退火处理形成欧姆接触电极；在p型GaN层上沉积10BC4或6LiF作为中子转换层。AlGaN/GaN变掺杂变组分结构内部具有内建电场，当中子照射到10BC4或6LiF后发生核反应产生α粒子，α粒子电离AlGaN/GaN产生电子空穴对，该电场驱动电子、空穴分别向n型和p型电极两端定向运动，有利于收集效率的提高和漏电流的减小，从而提高了中子探测器的灵敏度以及探测效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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