铌酸锂晶片碱性CMP后的表面洁净方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010231937.1
IPC分类号：B08B3/08
申请日期：
2010-07-21
申请人：
河北工业大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	铌酸锂晶片碱性CMP后的表面洁净方法
申请号	CN201010231937.1	申请日期	2010-07-21
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-02-16	公开/公告号	CN101972754A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B08B3/08 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B0 分离；混合 B08 清洁 B08B 一般清洁；一般污垢的防除（刷子入A46；家庭或类似清洁装置入A47L；颗粒从液体或气体中分离入B01D；固体分离入B03，B07；一般对表面喷射或涂敷液体或其他流体材料入B05；用于输送机的清洗装置入B65G 45/10；对瓶子同时进行清洗、灌注和封装的入B67C 7/00；一般腐蚀或积垢的防止入C23；街道、永久性道路、海滨或陆地的清洗入E01H；专门用于游泳池或仿海滨浴场浅水池或池子的部件、零件或辅助设备清洁的入E04H 4/16；防止或清除静电荷入H05F） B08B3/00 使用液体或蒸气的清洁方法（B08B 9/00优先） B08B3/04 与液体接触的清洁 B08B3/08 具有化学作用或溶解作用的液体（使用的物质，参见有关的类）	IPC分类号	B;0;8;B;3;/;0;8查看分类表>
申请人	河北工业大学	申请人地址	天津市红桥区光荣道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	河北工业大学	当前权利人	河北工业大学
发明人	刘玉岭;檀柏梅;孙鸣
代理机构	天津市三利专利商标代理有限公司	代理人	闫俊芬

摘要

本发明涉及使用铌酸锂化学机械抛光液对铌酸锂晶体高精密加工抛光后表面清洁技术。采用水抛实现的表面洁净，水抛液的主要化学成分包括活性剂、螯合剂、阻蚀剂和去离子水。当碱性抛光刚刚完成后，马上用上述水抛液并采用大流量水抛的方法，将残留的抛光液冲走，同时迅速降低表面张力、形成单分子钝化膜、并可使金属离子形成可溶的螯合物，从而达到洁净、完美的抛光表面。并且该水抛方法具有成本低、不污染环境及腐蚀设备的优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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