一种LED外延生长方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710375135.X
IPC分类号：H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/40
申请日期：
2017-05-24
申请人：
湘能华磊光电股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种LED外延生长方法
申请号	CN201710375135.X	申请日期	2017-05-24
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2017-09-26	公开/公告号	CN107204391A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;4;0查看分类表>
申请人	湘能华磊光电股份有限公司	申请人地址	湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湘能华磊光电股份有限公司	当前权利人	湘能华磊光电股份有限公司
发明人	林传强
代理机构	北京晟睿智杰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	于淼

摘要

本申请提供了一种LED外延生长方法，该LED外延是采用金属化学气相沉积法MOCVD对基底进行处理获得的，该方法包括：将基底进行退火，在基底上依次生长缓冲层、u‑GaN层、n‑GaN层、量子阱层、Al渐变AlGaN层、InGaN:Mg层、In渐变InGaN层、p型AlGaN层和p型GaN层；通过将Al渐变AlGaN层作为第一电子阻挡层，InGaN:Mg层和In渐变InGaN层构成新型电子注入层，p型AlGaN层作为第二电子阻挡层，制备出量子阱区域的空穴注入浓度高，驱动电压低的LED，提高了LED的发光效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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