一种防止MOS管开启时超过安全工作区的装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201822232683.X
IPC分类号：--
申请日期：
2018-12-28
申请人：
贵州浪潮英信科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种防止MOS管开启时超过安全工作区的装置
申请号	CN201822232683.X	申请日期	2018-12-28
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	贵州浪潮英信科技有限公司	申请人地址	贵州省安顺市平坝县贵安新区电子信息产业园黔中路电子信息产业园内变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	贵州浪潮英信科技有限公司	当前权利人	贵州浪潮英信科技有限公司
发明人	张松涛
代理机构	济南诚智商标专利事务所有限公司	代理人	王汝银

摘要

本实用新型实施例提出了一种防止MOS管开启时超过安全工作区的装置，包括控制IC、MOS管、电源、GPU卡和电容负载，控制IC通过电容负载与MOS管的Gate极相连；电源与MOS管的漏极D相连；GPU卡与MOS管的源极S相连。电容负载的理论值为C＝(I*T)/U；其中I为控制IC的驱动电流，U为控制IC驱动开启后的电压，T为需要延长的时间，电容负载的实际值的范围为[理论值*0.9，理论值*1.1]。本实用新型，在控制IC和MOS管的栅极之间增加电容负载，通过降低控制IC的Gate的驱动能力来延长MOS管的开启时间。采用电容负载，在MOS管开启后不产生持续电流而达到省电的目的，另外，导通后期不会因为分压而降低MOS管Gate极电压，也就不会影响MOS管的导通阻抗，不影响输出性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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