集成电路结构

发明专利有效专利

申请号：
CN200910150333.1
IPC分类号：H01L23/522;H01L23/58
申请日期：
2009-06-23
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	集成电路结构
申请号	CN200910150333.1	申请日期	2009-06-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-23	公开/公告号	CN101752343A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/522 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	卓秀英
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	姜燕;陈晨

摘要

本发明提供一种集成电路结构，包括位于一半导体衬底上方的一内连线结构以及一同轴传输线。上述同轴传输线包括一信号线；一顶薄板，位于上述同轴传输线上方，且与上述同轴传输线电性绝缘；一底薄板，位于上述同轴传输线下方，且与上述同轴传输线电性绝缘。上述顶薄板和上述底薄板的至少一个包括多个金属条状遮蔽物；多个介电质条状物，每一个上述介电质条状物介于两个上述金属条状遮蔽物之间。上述集成电路结构还包括一接地导电物，电性连接至上述顶薄板和上述底薄板。上述接地导电物通过一介电材料与上述信号线绝缘。本发明可利用调整接地导电物之间的距离来调整特征阻抗和特征波长，并使同轴传输线的制造工艺与CMOS电路的制造工艺完全相容。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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