基于Elmore延迟时间（EDT）的电阻模型

发明专利有效专利

申请号：
CN201980059905.7
IPC分类号：G06F30/39;G06F30/3312;G06F30/398;G06F30/367;G06F16/28;G06F119/12
申请日期：
2019-09-12
申请人：
美商新思科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	基于Elmore延迟时间（EDT）的电阻模型
申请号	CN201980059905.7	申请日期	2019-09-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-07	公开/公告号	CN112771529A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F30/39	IPC分类号	G;0;6;F;3;0;/;3;9;;;G;0;6;F;3;0;/;3;3;1;2;;;G;0;6;F;3;0;/;3;9;8;;;G;0;6;F;3;0;/;3;6;7;;;G;0;6;F;1;6;/;2;8;;;G;0;6;F;1;1;9;/;1;2查看分类表>
申请人	美商新思科技有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美商新思科技有限公司	当前权利人	美商新思科技有限公司
发明人	R·B·艾弗森
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	傅远

摘要

我们公开了一种集成电路设计工具，用于对诸如栅极、源极、漏极和过孔之类的晶体管的端子的电阻进行建模。使用三维(3D)坐标系在存储器中的数据结构中指定端子的结构。对于所指定的结构中的多个体积元素中的每个体积元素，Elmore延迟时间(EDT)被确定。对于位于栅极端子的面对沟道区域的表面上的多个体积元素中的那些体积元素，平均EDT(aEDT)基于EDT来被确定。端子的点对点电阻值根据aEDT和端子的电容来被生成。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供