一种基于准单晶半熔技术铸锭多晶硅锭的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910316730.5
IPC分类号：C30B28/06;C30B29/06
申请日期：
2019-04-19
申请人：
江苏金晖光伏有限公司

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专利名称	一种基于准单晶半熔技术铸锭多晶硅锭的方法
申请号	CN201910316730.5	申请日期	2019-04-19
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2019-06-07	公开/公告号	CN109853034A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B28/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B28/00 制备具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕 C30B28/04 由液态制备〔5〕 C30B28/06 正常凝固法或温度梯度凝固法〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;8;/;0;6;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	江苏金晖光伏有限公司	申请人地址	江苏省扬州市高邮市城南经济新区兴区路90号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏金晖光伏有限公司	当前权利人	江苏金晖光伏有限公司
发明人	刘爱军;曹丙强;庄艳歆;周浪
代理机构	扬州润中专利代理事务所（普通合伙）	代理人	谢东

摘要

本发明提供一种基于准单晶半熔技术铸锭多晶硅锭的方法，其包括：步骤1籽晶选择：选择单晶硅块、成长晶状态良好的多晶硅块；步骤2铸锭设备底部铺设籽晶、添加硅料；步骤3控制籽晶部分融化；步骤4跳至长晶阶段、控制稳定定向生长；步骤5选择合格的多晶硅锭产品后续加工、切片。本发明利用单晶生产原理进行多晶铸锭，以毫米级籽晶为形核中心进行外沿生长引晶，在同一横截面上缓解由硅锭边部较大的热应力引起的位错增殖、亚晶界及自间隙原子，降低底部红区的长度，提高多晶硅的导电性能。

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