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激光退火方法以及激光退火装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200680050867.1
  • IPC分类号:H01L21/20;H01L21/268
  • 申请日期:
    2006-11-07
  • 申请人:
    株式会社IHI
著录项信息
专利名称激光退火方法以及激光退火装置
申请号CN200680050867.1申请日期2006-11-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2009-01-28公开/公告号CN101356624
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/20IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;8查看分类表>
申请人株式会社IHI申请人地址
日本神奈川 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社半导体能源研究所,日本神奈川当前权利人株式会社半导体能源研究所,日本神奈川
发明人西田健一郎;川上隆介;河口纪仁;正木深雪
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人宋海宁
摘要
本发明涉及激光退火方法以及激光退火装置。在本发明中,使照射到非晶半导体膜(非晶硅等)上的矩形光束短轴方向的能量分布均匀。利用柱面透镜阵列(26)或波导(36)以及聚光光学系统(28,44)、或者利用包含衍射光学元件的光学系统,能够使矩形光束短轴方向的能量分布均匀。根据本发明,被照射到非晶半导体薄膜上的有效能量范围变宽,并且能够加速基板(3)的搬送速度,从而提高激光退火处理能力。

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