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高转化率硅晶及薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910044772.4
  • IPC分类号:H01L31/075;H01L31/077;H01L31/18;H01L31/20
  • 申请日期:
    2009-11-18
  • 申请人:
    湖南共创光伏科技有限公司
著录项信息
专利名称高转化率硅晶及薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制造方法
申请号CN200910044772.4申请日期2009-11-18
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2010-11-24公开/公告号CN101894871A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/075
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;7;5;;;H;0;1;L;3;1;/;0;7;7;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;2;0查看分类表>
申请人湖南共创光伏科技有限公司申请人地址
湖南省衡阳市雁峰区白沙洲工业园鸿园路1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖南共创光伏科技有限公司当前权利人湖南共创光伏科技有限公司
发明人李廷凯;李晴风;钟真;陈建国
代理机构长沙正奇专利事务所有限责任公司代理人马强
摘要
本发明提出了高转化率硅晶及薄膜复合型单结PIN太阳能电池及其制造方法,所述电池的结构为底电极/n型梯度μc或epiSi1-xGex/n-型硅晶片/i-μc-Si/i-A-Si1-xGex/i-A-Si/i-μc-SiC/p-A-SiC/TCO/减反射膜。这种单晶多i层的PIN结构,i层可从上述六种材料中选用组成二层,三层,四层,五层和六层级结构;采用激光结晶工艺,等离子掺杂工艺,CVD和PECVD过度层工艺来改善各层之间的界面性能,并用氢化处理工艺来保持各层材料性能的稳定和改善透明导电薄膜材料和界面的透光率和导电性;电池转换效率可望达到25%-30%,并具有较好的稳定性。

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