硼掺杂直拉硅单晶p/p+外延片铜沾污后获得洁净区的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410305340.5
IPC分类号：C30B33/00;C30B33/02
申请日期：
2014-06-30
申请人：
厦门大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	硼掺杂直拉硅单晶p/p+外延片铜沾污后获得洁净区的方法
申请号	CN201410305340.5	申请日期	2014-06-30
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-24	公开/公告号	CN104060327A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B33/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B33/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理（C30B 31/00优先）〔3，5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;3;/;0;0;;;C;3;0;B;3;3;/;0;2查看分类表>
申请人	厦门大学	申请人地址	福建省厦门市思明南路422号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门大学	当前权利人	厦门大学
发明人	徐进;谢婷婷;吕耀朝;吉川
代理机构	厦门南强之路专利事务所（普通合伙）	代理人	马应森;戴深峻

摘要

硼掺杂直拉硅单晶p/p+外延片铜沾污后获得洁净区的方法，涉及硅单晶p/p+外延片。1)准备3组样品，将第1组样品浸入CuCl2溶液中进行铜沾污，然后分别在1100～1300℃N2，O2和Ar气氛下热处理，将第2、3组样品直接分别在1100～1300℃N2，O2和Ar气氛下热处理；2)将步骤1)热处理过的第2组样品进行铜沾污，然后在600～800℃下保温；将步骤1)热处理过的第1,3组样品直接在600～800℃下保温；3)将步骤2)处理过的第3组样品进行铜沾污，然后在900～1100℃下保温；将步骤2)处理过的第1,2组样品直接在900～1100℃下保温。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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