一种稳定镓源反应器

发明专利有效专利

申请号：
CN201710403555.4
IPC分类号：C30B25/14;C30B29/40
申请日期：
2017-06-01
申请人：
镓特半导体科技（上海）有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	一种稳定镓源反应器
申请号	CN201710403555.4	申请日期	2017-06-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2017-08-04	公开/公告号	CN107012503A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕 C30B25/02 外延层生长〔3〕 C30B25/14 气体供给或排出用的装置；反应气流的变换〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;4;0查看分类表>
申请人	镓特半导体科技（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区泥城镇新城路2号23幢N1128室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	镓特半导体科技（上海）有限公司	当前权利人	镓特半导体科技（上海）有限公司
发明人	特洛伊·乔纳森·贝克;王颖慧
代理机构	上海光华专利事务所	代理人	姚艳

摘要

本发明提供一种稳定镓源反应器，其至少包括：依次叠置的至少两层反应层；位于相邻两层反应层之间的气体通道；位于最上层反应层的顶端的进气管道；以及，位于最下层反应层的底端的出气管道。本发明采用多层反应层叠置在一起，相邻两层反应层之间通过气体通道连通，液态金属镓预先通过进气管道和各气体通道注入到各反应层中，然后通入氯化氢气体进行反应，氯化氢气体从进气管道进入最上层反应层，随后从气体通道向下进入相邻两层反应层，并逐层通过所有反应层，最终生成的氯化镓气体从出气管道流出，从而能够确保氯化氢气体充分与金属镓进行反应。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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