加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

氮基半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202180001179.0
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335
  • 申请日期:
    2021-05-03
  • 申请人:
    英诺赛科(苏州)科技有限公司
著录项信息
专利名称氮基半导体器件及其制造方法
申请号CN202180001179.0申请日期2021-05-03
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-24公开/公告号CN113439340A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5查看分类表>
申请人英诺赛科(苏州)科技有限公司申请人地址
江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英诺赛科(苏州)科技有限公司当前权利人英诺赛科(苏州)科技有限公司
发明人郝荣晖;何清源;陈扶;黄敬源
代理机构深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙)代理人王琴;曹玉存
摘要
一种氮基半导体器件,包括第一和第二氮基半导体层、掺杂的III‑V族半导体层、栅极电极、第一和第二源极/漏极(S/D)电极。掺杂的III‑V族半导体层设置于第二氮基半导体层上,并且具有从掺杂的III‑V族半导体层的顶面向下延伸的第一和第二漏电流阻挡部。栅极电极设置于掺杂的III‑V族半导体层之上,其中栅极电极在第一和第二漏电流阻挡部之间具有一对相对的边缘。栅极电极的一个边缘与第一漏电流阻挡部分重合。第一漏电流阻挡部位于第一S/D电极和栅极电极之间。第二漏电流阻挡部位于第二S/D电极和栅极电极之间。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供