一种聚焦环和等离子体处理装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201610264269.X
IPC分类号：H01J37/32;H01J37/02
申请日期：
2016-04-26
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司

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著录项信息

专利名称	一种聚焦环和等离子体处理装置
申请号	CN201610264269.X	申请日期	2016-04-26
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2017-11-03	公开/公告号	CN107316795A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;H;0;1;J;3;7;/;0;2查看分类表>
申请人	北京北方华创微电子装备有限公司	申请人地址	北京经济技术开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	李国荣
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	彭瑞欣;张天舒

摘要

本发明提供一种聚焦环和等离子体处理装置。该聚焦环围设在处理腔室中用于承载基片的基台外侧，包括第一环形台阶面和第二环形台阶面，第一环形台阶面和第二环形台阶面均位于聚焦环的面向基片的一侧，第二环形台阶面位于第一环形台阶面的内侧，并低于第一环形台阶面，第二环形台阶面上设置有凹凸结构。该聚焦环能够减少处理过程中沉积在基片背面边缘与第二环形台阶面之间的聚合物对基片背面的吸附，降低基片与聚合物粘连的发生几率，从而增加基片传输的稳定性，避免出现基片破碎；同时还能避免聚合物粘附在基片的背面，从而避免基片在传输过程中对传输系统造成污染，同时也避免基片在处理工艺过程中对处理工艺造成污染。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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