半导体装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410131272.5
IPC分类号：H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28
申请日期：
2014-04-02
申请人：
世界先进积体电路股份有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN201410131272.5	申请日期	2014-04-02
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-10-14	公开/公告号	CN104979382A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/423 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕 H01L29/41 以其形状、相对尺寸或位置为特征的〔6〕 H01L29/423 不通有待整流、放大或切换电流的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	世界先进积体电路股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	世界先进积体电路股份有限公司	当前权利人	世界先进积体电路股份有限公司
发明人	张雄世;张睿钧;黄志仁
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	汤在彦

摘要

一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：相堆叠的多个半导体层；多个复合掺杂区，沿一第一方向而平行且分隔地设置于所述多个半导体层的一部分区域中；一栅极结构，沿一第二方向而设置于所述多个半导体层的一部分区域上，其中该栅极结构覆盖所述多个复合掺杂区的一部分区域；一第一掺杂区，沿该第二方向而设置于所述多个半导体层内的一最上层并邻近该栅极结构的一第一侧；以及一第二掺杂区，沿该第二方向而设置于相对于该栅极结构第一侧的一第二侧的所述多个半导体层内的一最上层内并邻近所述多个复合掺杂区。本发明提供的一种半导体装置及其制造方法，可在其尺寸微缩下仍可维持半导体装置的如驱动电流、导通电阻、崩溃电压等元件表现。

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