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用于确定熔丝状态的半导体装置和方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710106568.1
  • IPC分类号:H01L23/525;H01L21/66;H01L21/768
  • 申请日期:
    2007-06-06
  • 申请人:
    恩益禧电子股份有限公司
著录项信息
专利名称用于确定熔丝状态的半导体装置和方法
申请号CN200710106568.1申请日期2007-06-06
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-12-12公开/公告号CN101086983
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/525IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;2;5;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人恩益禧电子股份有限公司申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人瑞萨电子株式会社当前权利人瑞萨电子株式会社
发明人冈田纪雄;上田岳洋
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人关兆辉;陆锦华
摘要
一种半导体装置,包括:半导体衬底;熔丝,其包括导电材料并且形成在半导体衬底上;接触目标导体区域,其被放置在半导体衬底上的熔丝周围,这样形成该接触目标导体区域,以便当执行切断该熔丝的处理时,通过构成该熔丝的导电材料使其与该熔丝电接触;以及确定单元,其检测该熔丝是否电断开,以及检测该接触目标导体区域与该熔丝是否电连接,并且当检测到所述熔丝电断开时或检测到所述接触目标导体区域与所述熔丝之间的电连接时,确定该熔丝处于切断状态。

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