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一种材料气相外延用扇形喷头结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310012409.0
  • IPC分类号:C23C16/455;C30B25/14
  • 申请日期:
    2013-01-14
  • 申请人:
    东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
著录项信息
专利名称一种材料气相外延用扇形喷头结构
申请号CN201310012409.0申请日期2013-01-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-05-15公开/公告号CN103103501A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/455IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;C;3;0;B;2;5;/;1;4查看分类表>
申请人东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学申请人地址
广东省东莞市企石镇科技工业园 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东莞市中镓半导体科技有限公司,北京大学当前权利人东莞市中镓半导体科技有限公司,北京大学
发明人张俊业;刘鹏;毕绿燕;赵红军;袁志鹏;张国义;童玉珍
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人谭一兵;王东亮
摘要
本发明公开了一种材料气相外延用扇形喷头结构,使第一前驱物、第二前驱物、各种保护性气体在大面积反应区域内充分混合后形成较为均匀的流场。本发明包含有一个以上进气管道,进气管道上设有检测并控制进气流速和流量的控制器,喷头腔体内设有一个以上扇形的独立隔离区域,隔离区域顶端密封板连接一个进气管道,隔离区域底端的出气挡板上设有一个及以上的气体喷口,喷头下面设有圆形反应腔。本发明实现Ⅲ族-氮化物半导体材料的大批量生产,提高Ⅲ族-氮化物半导体材料的生产效率。

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