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一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510929984.6
  • IPC分类号:C23C16/455
  • 申请日期:
    2015-12-15
  • 申请人:
    北京七星华创电子股份有限公司
著录项信息
专利名称一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法
申请号CN201510929984.6申请日期2015-12-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-04-20公开/公告号CN105506581A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/455IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;5;5查看分类表>
申请人北京七星华创电子股份有限公司申请人地址
北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京北方华创微电子装备有限公司当前权利人北京北方华创微电子装备有限公司
发明人李春雷;赵雷超;胡彩丰
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人陶金龙;张磊
摘要
本发明公开了一种应用原子层沉积技术制备薄膜的实现方法,通过以抽真空式或变流量式的不同ALD工艺方式,改变反应腔室内的吹扫气体进气量,在腔室内形成气流场的扰动,可有效提高对过剩反应源及反应副产物的吹扫效果,降低薄膜生长周期的工艺时间,提高生产效率,并可在此基础上减少寄生CVD反应,提高ALD工艺质量,使薄膜均匀性得到提高。

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