一种单晶炉

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201420733548.2
IPC分类号：C30B15/00
申请日期：
2014-11-27
申请人：
乐山新天源太阳能科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种单晶炉
申请号	CN201420733548.2	申请日期	2014-11-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0查看分类表>
申请人	乐山新天源太阳能科技有限公司	申请人地址	四川省乐山市高新区建业大道9号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	乐山新天源太阳能科技有限公司	当前权利人	乐山新天源太阳能科技有限公司
发明人	陈五奎;李军;冯加保;徐文州;樊茂德
代理机构	成都宏顺专利代理事务所（普通合伙）	代理人	李玉兴

摘要

本实用新型公开了一种能够避免一氧化碳废气长期滞留对设备造成腐蚀的单晶炉。该单晶炉，包括上炉膛、下炉膛，所述上炉膛顶部设置有籽晶旋转提升机构，下炉膛内设置有保温筒，保温筒内设置有石墨坩埚，所述石墨坩埚内设有石英坩埚，石墨坩埚外侧设置有加热器，所述石墨坩埚底部设置有坩埚旋转顶升机构，所述石墨坩埚与坩埚旋转顶升机构设置有圆形的石墨托板，所述下炉膛内设置有环形布气板，氩气经过环形布气板的均布后，整个下炉膛的上部都有向下喷出的氩气，这样氩气在向下流动的过程中就会将下炉膛内产生的废气及时裹带走，避免一氧化碳废气长期滞留对设备造成腐蚀，可以延长设备的使用寿命。适合在单晶生产设备领域推广应用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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