碳化硅外延生长装置及碳化硅外延晶片的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010646344.5
IPC分类号：C30B25/20;C30B25/12;C30B25/10;C30B28/14;C30B29/36;H01L21/02
申请日期：
2020-07-07
申请人：
三菱电机株式会社

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著录项信息

专利名称	碳化硅外延生长装置及碳化硅外延晶片的制造方法
申请号	CN202010646344.5	申请日期	2020-07-07
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-01-12	公开/公告号	CN112210827A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/20 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕 C30B25/02 外延层生长〔3〕 C30B25/18 以衬底为特征的〔3〕 C30B25/20 与外延层材料相同的衬底〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;2;0;;;C;3;0;B;2;5;/;1;2;;;C;3;0;B;2;5;/;1;0;;;C;3;0;B;2;8;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱电机株式会社	当前权利人	三菱电机株式会社
发明人	酒井雅;香月真一郎;小林和雄;日野泰成
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	何立波;张天舒

摘要

提供一种碳化硅外延生长装置以及碳化硅外延晶片的制造方法，其能够在碳化硅基板之上以成为均匀的载流子浓度的方式进行外延生长，得到稳定的良好的器件特性。将搭载了碳化硅基板(1)以及碳化钽部件(4)的晶片保持器(2)搭载于基座(6)内的旋转台(5)，通过基座(6)周围的感应加热线圈(7)进行加热，通过向基座(6)内供给生长气体、掺杂气体以及载气，从而在碳化硅基板(1)之上以成为均匀的载流子浓度的方式进行外延生长，能够得到稳定的良好的器件特性，并且能够提高碳化硅外延晶片工序的成品率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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