一种添加EBG结构的基片集成波导带通滤波器

发明专利有效专利

申请号：
CN202110516884.6
IPC分类号：H01P1/203
申请日期：
2021-05-12
申请人：
成都灏众科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种添加EBG结构的基片集成波导带通滤波器
申请号	CN202110516884.6	申请日期	2021-05-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-06	公开/公告号	CN113224484A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P1/203 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P1/00 辅助器件（波导型耦合器件入H01P 5/00） H01P1/20 选频器件，例如滤波器 H01P1/201 横电磁波滤波器（H01P 1/212，H01P 1/213，H01P 1/215，H01P 1/219优先）〔3〕 H01P1/203 带状线滤波器〔3〕	IPC分类号	H;0;1;P;1;/;2;0;3查看分类表>
申请人	成都灏众科技有限公司	申请人地址	四川省成都市郫都区德源镇(菁蓉镇)田坝东街15号7楼702号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	成都灏众科技有限公司	当前权利人	成都灏众科技有限公司
发明人	李绍蔚;陆永成;彭睿
代理机构	成都弘毅天承知识产权代理有限公司	代理人	岳子强

摘要

本发明公开了一种添加EBG结构的基片集成波导带通滤波器，属于微波射频技术领域，包括从上到下依次层叠设置的第一金属层、介质基板层和第二金属层；所述第一金属层包括两个八分之一基片集成波导金属层、四个电磁间隙耦合结构、共面波导输入端和共面波导输出端；采用八分之一基片集成波导金属层，物理尺寸是一般基片集成波导结构的八分之一，易于小型化；相比于微带线、悬置线等结构，Q值更高、集成度更高、选择性更好、损耗更小；通过在基片集成波导滤波器的共面波导输入端与共面波导输出端添加电磁间隙耦合结构，改善了滤波器的性能，其信号的选择性更好，损耗更低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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