一种用于隔离单晶炉主炉室与副炉室的隔离机构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201920850072.3
IPC分类号：C30B15/00;C30B29/06
申请日期：
2019-06-06
申请人：
晶创铭盛电子科技（香河）有限公司

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专利名称	一种用于隔离单晶炉主炉室与副炉室的隔离机构
申请号	CN201920850072.3	申请日期	2019-06-06
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	晶创铭盛电子科技（香河）有限公司	申请人地址	河北省廊坊市香河经济技术开发区运河大道东侧安晟街北侧运泰路西侧机器人产业港1期E5楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	晶创铭盛电子科技（香河）有限公司	当前权利人	晶创铭盛电子科技（香河）有限公司
发明人	王志磊
代理机构	北京志霖恒远知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	杨玉廷

摘要

本实用新型公开了一种用于隔离单晶炉主炉室与副炉室的隔离机构，包括主炉室、副炉室和翻板阀，主炉室安装在炉体的底座的上平面上，主炉室的顶部的盖体与翻板阀的底部环面密封连接，副炉室与翻板阀的顶部环面密封连接；还包括风机、送风管、出风管和阀门，在翻板阀的阀体的两侧分别开设有入风口和出风口，且入风口和出风口呈对称状设置，入风口和出风口分别与送风管和出风管连接，在风机的出风口的内部安装有滤网，风机的出风口与送风管之间通过管道连接件固定，在送风管和出风管的管体上均安装有阀门。本实用新型可以在单晶炉工作完毕后，将翻板阀内的翻板上粘附的物料吹出翻板阀外，避免翻板上粘附大量物料影响翻板的正常翻转速度及幅度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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