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半导体器件和制造半导体器件的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201110360175.X
IPC分类号：H01L23/552;H01L23/31;H01L23/00;H01L23/488
申请日期：
2011-11-14
申请人：
瑞萨电子株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件和制造半导体器件的方法
申请号	CN201110360175.X	申请日期	2011-11-14
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2012-05-23	公开/公告号	CN102468275A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/552 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/552 防辐射保护装置，例如光〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;5;2;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8查看分类表>
申请人	瑞萨电子株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	渡边敬仁;山道新太郎;牛山吉孝
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	孙志湧;穆德骏

摘要

本发明提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体芯片包括磁存储器件并且在第一面上包括电极焊盘。在其中至少暴露电极焊盘的状态下用磁屏蔽层涂覆半导体芯片。半导体芯片通过凸块安装在互连基板上。半导体芯片和互连基板中的至少一个包括凸部，并且凸块被布置在凸部上方。

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