一种功率半导体器件结电容测试装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201120221050.4
IPC分类号：G01R27/26
申请日期：
2011-06-27
申请人：
中国科学院微电子研究所

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著录项信息

专利名称	一种功率半导体器件结电容测试装置
申请号	CN201120221050.4	申请日期	2011-06-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R27/26 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R27/00 测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置 G01R27/02 电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性，例如时间常数的实值或复值测量（仅仅通过测量相位角的入G01R 25/00） G01R27/26 电感或电容的测量；品质因数的测量，例如通过应用谐振法；损失因数的测量；介电常数的测量	IPC分类号	G;0;1;R;2;7;/;2;6查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	天津市东丽区华明高新区华丰路6号E1 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中科华艺（天津）微电子有限公司	当前权利人	中科华艺（天津）微电子有限公司
发明人	陆江;朱阳军;苏江
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	逯长明

摘要

本实用新型实施例公开了一种功率半导体器件结电容测试装置，包括结电容测试电路板，结电容测试电路板包括：两个输入电容测试点，其中，第一输入电容测试点通过短路电容与电源连接点相连，电源连接点与漏极测试点相连，第二输入电容测试点通过偏置电感接地；反馈电容测试点接地；输出电容测试点与栅极测试点相连，并通过阻断电阻与源极测试点相连；与电源连接点相连的高电压电流连接点和与栅极测试点相连的低电压电流连接点。本实用新型实施例提供的功率半导体器件结电容测试装置，将测试不同电容参数时的电路设置于同一电路板中，并根据需要选择测试的电容参数连通相应的测试点，简化了测试工作，提高了测试效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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