半导体激光元件、其安装结构、其制造方法及其安装方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710087983.7
IPC分类号：H01S5/00;H01S5/02;H01S5/022
申请日期：
2007-01-15
申请人：
夏普株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体激光元件、其安装结构、其制造方法及其安装方法
申请号	CN200710087983.7	申请日期	2007-01-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-08-22	公开/公告号	CN101022207
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;0;;;H;0;1;S;5;/;0;2;;;H;0;1;S;5;/;0;2;2查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普株式会社	当前权利人	夏普株式会社
发明人	宫嵜启介
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	陶凤波

摘要

本发明涉及半导体激光元件、半导体激光元件的安装结构、半导体激光元件的制造方法以及半导体激光元件的安装方法。在N型GaAs衬底(2)上，形成N型GaAs缓冲层(4)、N型GaInP中间层(6)、N型AlGaInP包层(8)、非掺杂MQW有源层(10)、P型AlGaInP包层(12)、P型AlGaInP包层(14)、P型GaAs盖层(16)。P型包层(14)以及P型盖层(16)在脊部(15)上形成。窄幅部(17)在N型衬底(2)的上部及所述各层中形成，在脊部(15)的侧面、窄幅部(17)的表面、和N型衬底(2)的台阶部(2a)的表面形成SiO2膜(18)。在脊部(15)和窄幅部(17)的表面形成的SiO2膜(18)的上面形成P侧电极层(23)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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