带有自对准单元的MOS栅极器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN97114151.7
IPC分类号：--
申请日期：
1997-10-25
申请人：
国际整流器公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	带有自对准单元的MOS栅极器件及其制造方法
申请号	CN97114151.7	申请日期	1997-10-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1998-06-10	公开/公告号	CN1184328
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	国际整流器公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国际整流器公司	当前权利人	国际整流器公司
发明人	Ｄ·Ｍ·金泽尔
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	萧掬昌;叶恺东

摘要

利用一种不需任何严格对准的情况下形成自对准器件单元的方法形成的MOS栅极功率半导体器件。采用侧壁间隔作掩模腐蚀硅中的凹陷，以减少严格对准步骤数。随意选择形成的金属连接多晶硅层与P+和N+扩散区。在与选择形成的金属的组合中，侧壁间隔防止杂质扩散到寄生的DOMS沟道中，并防止使其引起反向泄漏电流。采用这种方法还可形成端子结构。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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