层间介质层的化学机械研磨方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910055391.6
IPC分类号：B24B37/04;H01L21/304;C09G1/02
申请日期：
2009-07-24
申请人：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

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著录项信息

专利名称	层间介质层的化学机械研磨方法
申请号	CN200910055391.6	申请日期	2009-07-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-02-02	公开/公告号	CN101961852A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B24B37/04 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B24 磨削；抛光 B24B 用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F 3/00）；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给 B24B37/00 研磨机床或装置；附件（B24B 3/00优先） B24B37/04 适用于加工平面的〔1，2012.01〕	IPC分类号	B;2;4;B;3;7;/;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;4;;;C;0;9;G;1;/;0;2查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	申请人地址	上海市张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人	李健;刘俊良
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	屈蘅;李时云

摘要

一种层间介质层的化学机械研磨方法，包括：第一步、在第一研磨垫上对晶圆的层间介质层进行研磨，其中，第一研磨垫与晶圆之间的压强为0.8～1.8PSI；第二步、在第二研磨垫上对晶圆的层间介质层进行研磨，其中，第二研磨垫与晶圆之间的压强为0.8～1.8PSI，所述的第一步和第二步化学机械研磨步骤去除大部分的待研磨材料；第三步、在第三研磨垫上对晶圆的层间介质层进行研磨，进一步提高表面平坦化程度，其中，第三研磨垫与晶圆之间的压强为2.0～3.0PSI。上述方法可以有效地减少层间介质层化学机械研磨的划痕，提高产品良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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