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用于气相沉积的紧凑头部和紧凑系统

发明专利有效专利

申请号：
CN201980050597.1
IPC分类号：C23C16/455;B33Y80/00;H01L29/49;H01L21/02
申请日期：
2019-07-30
申请人：
法国国家科学研究中心

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于气相沉积的紧凑头部和紧凑系统
申请号	CN201980050597.1	申请日期	2019-07-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-16	公开/公告号	CN112513326A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/455 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/455 向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;B;3;3;Y;8;0;/;0;0;;;H;0;1;L;2;9;/;4;9;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	法国国家科学研究中心	申请人地址	法国巴黎变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	法国国家科学研究中心	当前权利人	法国国家科学研究中心
发明人	大卫·穆诺斯-罗哈斯
代理机构	北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王建国;许伟群

摘要

一种化学气相沉积头部(TD)，特别适于环境压力下的空间原子层沉积，其通过叠层制造以单件生产、通过在单件中形成空腔来形成分配导管网。一种通过这种沉积头部沉积至少一个薄层的方法。一种气相沉积系统，包括这样的头部(TD)和承载所述头部并允许其在基底上移动的支架(CM)。优选地，该支架还承载一个或多个也通过叠层制造来生产的前体储存器(BI1、BI2、BI3)。

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