一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构

发明专利有效专利

申请号：
CN202110152953.X
IPC分类号：H05K3/00;H05K3/46;H05K3/26;H05K1/18
申请日期：
2021-02-04
申请人：
曹建峰

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专利名称	一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构
申请号	CN202110152953.X	申请日期	2021-02-04
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-04-02	公开/公告号	CN112601368A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05K3/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05K 印刷电路；电设备的外壳或结构零部件；电气元件组件的制造（其他类目不包括的仪器零部件或其他设备的类似零部件入G12B；薄膜或厚膜电路入H01L 27/01，H01L 27/13；用于对印刷电路或印刷电路之间的电连接的非印刷方法入H01R；用于特殊类型设备的外壳或其结构零部件，见有关小类；仅包括单一工艺的加工方法，例如已列入其他类目的加热、喷射，见有关的类） H05K3/00 用于制造印刷电路的设备或方法（结构表面或图形表面照相制板的制作、所用的材料或原图、其专用的设备，一般入G03F；包括有半导体器件制造的入H01L）〔3〕	IPC分类号	H;0;5;K;3;/;0;0;;;H;0;5;K;3;/;4;6;;;H;0;5;K;3;/;2;6;;;H;0;5;K;1;/;1;8查看分类表>
申请人	曹建峰	申请人地址	安徽省宿州市埇桥区师范路电厂小区C栋403 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	曹建峰	当前权利人	曹建峰
发明人	曹建峰
代理机构	北京高航知识产权代理有限公司	代理人	李浩

摘要

本发明公开了一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构，包括金属基底层，设置在金属基底层上的粘接层，设置在粘接层上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的第二绝缘层，设置在第二绝缘层上的第三绝缘层，在第三绝缘层上设置的传感器电路层，在第三绝缘层上设置或不设置覆盖第三绝缘层和传感器电路层的保护层。本发明由于氮化硅绝缘层不与金属基底接触，杜绝了其在高温环境下与金属基底发生反应的可能；同时由于氮化硅绝缘层的隔离，使得氧化铝绝缘层中的针孔被阻隔，从而不会导致传感器电路层与金属基底之间的短路，确保了基于金属基底的薄膜传感器在高温环境下使用时的绝缘能力。

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