一种BCB薄膜太赫兹电路及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010671626.0
IPC分类号：H01L21/56;H01L21/768;H01L23/29;H01L23/48;H01L23/552
申请日期：
2020-07-14
申请人：
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

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专利名称	一种BCB薄膜太赫兹电路及其制作方法
申请号	CN202010671626.0	申请日期	2020-07-14
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-06	公开/公告号	CN111900093A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/56 封装，例如密封层、涂层〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;5;2查看分类表>
申请人	南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司	申请人地址	江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司	当前权利人	南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
发明人	牛斌;范道雨
代理机构	南京理工大学专利中心	代理人	陈鹏

摘要

本发明公开了一种BCB薄膜太赫兹电路及其制作方法，方法包括：1)在半导体衬底上外延生长带有腐蚀停止层的太赫兹二极管或三极管外延材料，2)完成二极管、三极管等有源器件及电阻、电容等无源器件工艺制作，3)旋涂总厚度覆盖所有片上器件的BCB并固化，4)在所有器件电极接触上方处制作BCB通孔，5)在BCB上方制作电路金属布线，连接BCB通孔中的器件电极，6)完全去除半导体衬底及腐蚀停止层，完成BCB薄膜太赫兹电路制作。通过本方法可制作微米级厚度的BCB薄膜电路金属布线基板，且BCB材料具有极低的介电常数及太赫兹损耗，可提高太赫兹电路性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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