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单芯片式垫氧化层成长方法

发明专利无效专利

申请号：
CN01130916.4
IPC分类号：--
申请日期：
2001-08-24
申请人：
旺宏电子股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	单芯片式垫氧化层成长方法
申请号	CN01130916.4	申请日期	2001-08-24
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-03-19	公开/公告号	CN1404112
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	苏金达;江瑞星
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	赵蓉民

摘要

一种单芯片式垫氧化层成长方法。首先，将一硅芯片送入一反应室中，并通入氢气和氧气。接着，以快速升温的方式将反应室内温度升至约850℃至1100℃，使硅芯片上长出一层二氧化硅层，其中长出该二氧化硅层所需的时间为二至三分钟，且该反应室升温后的最终温度误差可控制在1至2℃以内。

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