一种提高散热性普亮发光二极管

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202020986207.1
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/64
申请日期：
2020-06-02
申请人：
江西省兆驰光电有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种提高散热性普亮发光二极管
申请号	CN202020986207.1	申请日期	2020-06-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4查看分类表>
申请人	江西省兆驰光电有限公司	申请人地址	江西省南昌市青山湖区昌东工业区胡家路199号办公楼1-3层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江西省兆驰光电有限公司	当前权利人	江西省兆驰光电有限公司
发明人	解庆
代理机构	南昌金轩知识产权代理有限公司	代理人	党冲

摘要

本实用新型涉及一种提高散热性普亮发光二极管，包括基座，所述基座上安装有灯壳，所述灯壳内侧设有发光二极管，且所述发光二极管安装于基座上，所述基座包括固定板、陶瓷壳体、导热硅胶片，所述陶瓷壳体设于固定板顶部，所述陶瓷壳体内设有空腔，所述空腔内设有冷却液，所述导热硅胶片设于陶瓷壳体顶部，且所述发光二极管紧贴在导热硅胶片上，所述基座顶部设有导电线路，所述发光二极管的正极引脚与导电线路的相应一个正极焊点固定焊接，所述发光二极管的负极引脚与导电线路的相应一个负极焊点固定焊接，该提高散热性普亮发光二极管提高了散热的效果，有利于延长普亮发光二极管的使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供